1 emmc和nand
eMMC 和 Nand 是嵌入式系统中比较常见的两种存储介质。
eMMC 一般是 BGA 封装，pin 脚在芯片底部，Nand Flash 一般是 TSOP 封装，芯片 pin 脚在芯片左右两边，所以从一般从芯片 pin 脚上就可以区分它们。
eMMC颗粒的PIN脚主要分为三组：电源引脚、控制信号引脚、数据信号引脚。
Pin Name Type 描述 DAT0-DAT7 I/O 数据传输的双向数据通道 CMD I/O 设备初始化和命令传输的双向命令通道 CLK Input 时钟输入 RST_N Input 硬件复位 VCC Power 电源电压 VCCQ Power 存储器控制器和MMC接口的电源电压 VDDI Power 内部电源节点，将电容器接地 VSS Power 闪存的接地脚 VSSQ Power 内存控制器和EMMC接口的接地脚 DS Output 数据选通 NC - 未连接 RFU - 预备为将来使用
2 器件布局：
为了兼容两个器件，一般都会在布局的时候，将两个器件联合到一块。因为两个器件封装类型不一样，使用的时候可以根据器件选型自由焊接。注意根据飞线情况调整位置。
电容摆放采取就进原则，小电容首先需要靠近在引脚位置，大电容就可以离得远一点。然后其他电阻也需要摆放在周边。
有特殊要求摆放的需要摆放在特殊位置，比如在原理图有标注的：则需要按要求摆放。
预布局先暂时靠近摆放，等到布线的时候再调整
- EMMC存储器应靠近主控摆放，不宜太远
- 去耦电容均靠近EMMC芯片管脚摆放，均匀分配即可
3 器件布线
3.1 扇出打孔
- 短线直接相连，长线打孔，电源线打孔。注意打孔不要一字连起来，会割裂
nand扇出：
emmc扇出打孔：
3.2 布线要求
特性阻抗：单端50欧，没有差分信号；
EMMC与主控芯片之间的走线长度小于2000mil；
内部走不出来的信号可以从NC PAD走，不能从RFU PAD上走线；
D0~D7 数据信号尽量同组同层，使用过孔的数量尽量相同；
信号线的间距满足3W原则， CLK信号单独包地处理，地线每隔200mil打一个地过孔；
所有信号线都不得跨分割，且有完整参考平面，换层时，改变了参考层，要注意考虑增加回流地过孔或退藕电容；
VCC/VCCQ 线宽不小于 12mil，或直接使用敷铜代替电源走线；
3.3 等长要求
等长布线要求：
D0~D7、CMD相对于CLK做等长，误差控制±50mil；
兼容FLASH存储器，布线时注意下布线的拓扑结构。
